第三代半导体是助力实现“双碳”目标，推进数字化转型的关键要素，也是加快5G通信、新能源汽车、光伏等产业创新发展的重要引擎。近几年，中国第三代半导体有关技术不断突破、材料成本持续降低、市场占比慢慢地提高，战略性、先导性地位日益凸显，正成为中国制造业高水平质量的发展和产业链供应链安全稳定的重要支撑。在此背景下，中央和多地政府持续出台有关政策支持第三代半导体产业高质量发展。在应用爆发和政策驱动的双重带动下，中国第三代半导体产业已步入黄金发展阶段。
2022年8月19日，第三届国际第三代半导体产业高质量发展高峰论坛发布了《中国宽禁带半导体材料行业发展报告》，报告系统介绍了宽禁带半导体材料概念及产业链、全球第三代半导体材料行业发展概况、中国第三代半导体材料行业发展现状以及第三代半导体材料行业发展研判。对于全球第三代半导体材料市场，报告说明，2021年全球第三代半导体材料市场呈现快速增长态势，市场规模达到9.92亿美元，同比增长24.5%。其中，SiC材料市场规模达到5.38亿美元，占比达54.2%；GaN材料市场规模达到4.54亿美元，占比达45.8%。
对于中国第三代半导体材料市场，报告说明，在新能源汽车、5G通信、消费电子等下游应用蒸蒸日上的带动下，中国第三代半导体器件需求日益旺盛，第三代半导体材料供不应求。2021年，中国第三代半导体材料市场逐步扩大，市场规模达到12.35亿元，同比增长23.9%。其中，SiC材料市场规模达到7.47亿美元，占比达60.5%；GaN材料市场规模达到4.88亿元，占比达39.5%。
对于中国第三代半导体下游应用市场，报告说明，2021年中国第三代半导体SiC、GaN电力电子市场总规模达到69.3亿元，市场增长的最大动力来自于新能源汽车市场（含充电桩），市场占比高达69%。未来三年，第三代半导体电力电子市场预计将保持40%左右的年均增速。
2021年中国GaN微波射频市场规模为34.7亿元，同比增长11.9%，增速较前两年稍有放缓。5G基站建设是影响GaN微波射频器件市场规模变化的重要的因素，全国各地5G基站建设在近几年达到高峰，过去两年均超过60万站，预计2022年新部署量基本与上年持平。
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